一、脉冲参数对指纹放电成像质量的影响（论文文献综述）
邓明海[1]（2020）在《300kV脉冲X射线源辐射特性及其应用研究》文中研究指明脉冲X射线源因其脉冲短、强度高等特点而被广泛应用于实验物理研究,其中一类为瞬态过程诊断,主要包括透射成像和衍射成像等。透射成像通常又被称为闪光照相,它是利用脉冲X射线源的轫致辐射,当客体为高面密度时,需要X射线具有强穿透性,X射线源辐射光子能量应偏向高能;而当客体为低面密度时,为了提高面密度诊断灵敏度,光子能量应偏向低能。衍射成像则是利用脉冲X射线源的特征辐射与晶体材料发生衍射,进而研究晶体材料在动态加载条件下发生的压缩、位错和相变等响应特性,由于材料原子、分子间距为1-～10A,结合工程因素,决定了 X射线波长不能过短,因此光子能量也偏向低能,同时要求特征辐射强度高,单色性好。可见,不同的成像应用对脉冲X射线源的辐射光子能量以及能谱需求不同。针对衍射成像和低面密度客体透射成像应用需求,基于脉冲功率技术的数百kV低能脉冲X射线源是比较合适的选择,也因此得到了国、内外相关研究机构的青睐,并重点发展了应用技术,取得了不少的研究成果。但同时也发现:1)在电子与靶相互作用理论中,对脉冲X射线源的设计缺乏足够的支撑,靶参数对辐射的影响规律认识不够;2)针对衍射成像应用的二极管,未见有关Kα辐射特性的公开报道,而且参数配置方法不明;3)数百kV脉冲X射线源辐射能谱确定的常见方法都存在一定的局限性,同时二极管作为强流、低阻抗负载,易提前闭合,导致能谱不确定,而将实时电学参数和能谱相关联是一种值得探索的方法。因此,本文开展了 300kV脉冲X射线源辐射特性及其应用研究工作,获得的主要研究成果和结论如下:1.在电子与靶相互作用规律方面。电子能量在20keV-600keV范围内:1)厚靶下,后向占比将趋于饱和,而电子能量在300keV附近,后向占比将达到峰值;2)厚靶下,较佳的轫致辐射角度位于120°-180°范围,Kα特征辐射则越靠近180°越好;3)薄靶下,随着靶倾斜角增大,后向轫致辐射逐渐增强,前后向靶法线两侧轫致辐射不对称性加剧;厚靶下,随着靶倾斜角增大,前向轫致辐射和Kα特征辐射变化小,后向靶法向两侧轫致辐射不对称性加剧;4)铜、钼和钨三种靶材,随着原子序数增加,厚靶时的后向轫致辐射逐渐增强、Kα特征辐射逐渐减弱,而钼的前向轫致辐射和Kα特征辐射效率比铜、钨高;薄靶下,轫致辐射逐渐增强,Kα特征辐射则逐渐减弱。2.在300kV脉冲X射线源装置辐射特性和辐射成像应用方面。1)在120kV-～300kV二极管电压范围,Kα特征辐射强度大体呈增大趋势;17keV-18keV光子产额占比为20%-30%,与Monte Carlo模拟结果基本一致;2)刀刃阴极与高纵深阴极反射二极管分别在Kα特征辐射强度和占比上占有优势;3)低阻抗二极管在辐射强度稳定性和空间分布稳定性方面表现较好,尤其是Kα特征辐射;4)适宜的阴阳极间隙有利于Kα特征辐射强度的提高;5)在低面密度金属透射成像中,成像金属的K吸收边稍高于二极管阳极靶金属的K特征线可以进一步提高成像的衬度。3.在实时能谱预测方法方面。提出的实时辐射能谱预测方法可以作为反射二极管辐射特性与辐射成像研究的工具之一。主要创新点:1.首次获得了靶参数对辐射特性影响的规律性的认识,为数百kV脉冲X射线源系统设计提供了指导。2.较系统地研究了反射二极管的Kα特征辐射特性,获得了不同二极管参数配置下的Kα特征辐射强度变化趋势,掌握了衍射成像应用中二极管的参数配置方法。3.提出了一种反射二极管的实时辐射能谱预测方法,建立了能谱预测计算模型。
杨丰源[2]（2018）在《高压直流电缆局部放电特征分析及辨识技术研究》文中研究指明高压直流电缆输电是电力输送的主要形式之一,交联聚乙烯（cross-linked polyethylene,XLPE）电缆凭借其良好的电气及机械性能,成为高压直流电力电缆的主流。近年来,高压直流电缆制造技术发展迅猛,但关于其绝缘状态检测及故障诊断等运维技术的研究相对滞后。局部放电（Partial Discharges,PDs）是导致电力电缆绝缘劣化和老化的主要形式之一。同时,局部放电检测是重要的电缆绝缘状况检测和早期故障诊断手段之一。关于交流XLPE电缆局部放电特征分析、检测标准及辨识技术的研究已日趋完善,但针对直流XLPE电缆的该方面研究极少。一方面,直流电缆研究相较交流电缆起步较晚,另一方面,由于直流局放缺少相位信息,其特征规律方面的研究相比交流局放更加复杂。针对上述问题,本文主要取得了如下成果:基于直流局部放电等效电路模型研究了放电产生及复现过程,理论分析了放电量、放电重复率、外施电压等关键参量间的相关性。基于时间延迟/恢复模型理论研究了连续放电间的关联特征。通过总结归纳高压电缆常见绝缘缺陷类型及其原因,设计了四种典型绝缘缺陷模型,分别为:主绝缘表面划伤缺陷、高压侧金属毛刺缺陷、半导电层残留缺陷以及应力锥界面处缺陷。使用Comsol Multi-physics和MATLAB软件联合仿真研究了各类模型的电场畸变特性。上述研究主要为后续试验结果分析提供理论支撑。搭建了直流电缆局部放电试验及检测平台。比较分析了高频电流法（High Frequency Current Transformer detection,HFCT）、特高频法等常用局放检测手段的灵敏度及适用性。分别对各类缺陷模型使用阶梯升压法试验,绘制了放电量、放电重复率、施加电压等关键参量间的相关性曲线,研究了各类缺陷在正、负极性电压下的局部放电发展规律,将放电过程划分为起始、发展和临近击穿三个放电阶段。评估了各阶段的放电严重程度,使用HFCT检测获取的放电脉冲数据绘制并比较分析了各严重等级的典型统计特征图谱,包括放电量-时间间隔密度直方图H（q,Δt）,以及连续放电间相关性特征散点图（以下简称相关性散点图）。从而揭示了直流电压下XLPE电缆各典型缺陷局部放电的发展、演化特征,以及不同绝缘缺陷在不同放电阶段的统计特征。将不同缺陷类型、不同严重程度的放电视作不同模式,H（q,Δt）、相关性散点图等统计特征图谱包含了丰富的模式信息。提取了多种特征参数用于量化分析局放模式。基于四类相关性散点图,一方面提取了其Spearman秩相关系数等线性相关性参数,另一方面,使用互信息、最大信息系数等理论表征其非线性相关特征。基于六类二维统计分布直方图谱,使用偏斜度等算子提取其形状特征。基于大量试验数据,比较分析了不同放电模式所提取的各特征参数的分布范围及规律。进一步,使用改进的最小冗余最大相关方法对各参数性能进行量化评估,经过筛选后构建了“最优特征指纹”。综合考虑局放统计特征及PD信号时域特征,分别提取H（q,Δt）图谱放电重复率向量和时域信号范数特征向量,组成高维特征空间。将所有训练样本的高维特征向量组成过完备字典,利用测试样本特征向量在其上的稀疏表示,基于压缩感知（Compressed Sensing,CS）技术,实现直流局放模式识别。进一步,基于D-S证据理论,分别将基于压缩感知的识别和基于散点图“特征指纹”的识别作为两个证据体,进行决策信息融合。一方面,减小了压缩感知理论对欠定条件和训练样本数量的限制,另一方面,可以实现多种局放模式信息的有效利用,获得更高精读的模式识别结果。
殷科[3]（2017）在《光纤抽运2-5μm超连续谱激光光源研究》文中进行了进一步梳理超连续谱（SC）激光在基础科学、环境监测、生物医疗和国防等众多领域都有着广泛的应用需求。尤其是2-5μm波段内超连续激光,可有效覆盖大气窗口,其在诸如红外照明、高光谱成像、光谱激光雷达、红外对抗等大气应用领域有重要前景。另外该波段包含众多分子材料的指纹吸收谱,因而2-5μm超连续谱激光还可以被广泛地应用到红外光谱学。全光纤结构的超连续谱激光可以保持光纤激光固有的稳定性好、热管理方便、结构紧凑、空间相干性好等优点,避免价格高昂的固体激光器以及分离器件带来的不良影响。开展高亮度高稳定的2-5μm超连续谱激光研究,对于促进波段内光源走向实际应用有重要意义。为此,论文以光纤抽运的2-5μm波段内超连续谱激光光源为研究对象,展开了全面系统的理论和实验研究,主要内容包括:提出了固定坐标系下频域广义非线性薛定谔方程（GNLSE）的求解方法,数值仿真研究了掺铥光纤放大器（TDFA）、氟化物ZBLAN光纤和硫系玻璃光纤中超连续谱产生的物理过程。首次从理论上揭示了TDFA对超快种子激光脉冲放大,逐渐形成孤子群脉冲,并输出2-2.5μm超连续谱激光的物理过程。指出了与孤子相关的频率红移效应是超连续谱激光输出光谱不断自展宽涉及的主要非线性效应。开展了二维新材料碲化铋作为可饱和吸收体在2μm锁模孤子脉冲产生方面的实验研究,并对比研究了基于非线性偏振旋转效应的2μm锁模孤子脉冲产生以及基于“1.5→2μm”频率变换的孤子群脉冲产生,丰富了2μm激光脉冲的产生方法。通过“1.5→2μm”频率变换方法,获得了2μm波段占空比可调的孤子群脉冲种子,为实现高功率2-2.5μm超连续谱激光打好了研究基础。实现了单模和大模场TDFA中瓦量级和百瓦量级的光谱平坦型2-2.5μm超连续谱激光光源,发现了高占空比种子激光可以大幅度提升TDFA的工作效率。利用单模TDFA对啁啾脉冲进行功率放大,获得了最高功率为41.6 W的2-2.5μm超连续谱激光输出。利用大模场TDFA分别对重复频率2 MHz和4 MHz的高占空比孤子群脉冲种子进行功率放大,获得了最高功率为101.6 W和203.4 W的光谱平坦型2-2.5μm超连续谱激光输出。当输出功率为203.4 W时,超连续谱的3 dB光谱带宽为550 nm,对应波长范围为1987-2537 nm,取得功率指标是国际上同类研究报道中的最高记录。开展了软玻璃光纤的后处理技术研究,实现了石英光纤与软玻璃光纤、软玻璃光纤与软玻璃光纤的高强度、低损耗熔接。首次搭建了全光纤结构ZBLAN光纤超连续谱激光光源,分别研究了光纤长度、熔接通过率、抽运脉冲能量大小等因素对ZBLAN光纤中超连续谱产生的影响。当ZBLAN光纤的纤芯直径为7μm时,获得了瓦量级光谱超平坦的2-4.5μm超连续谱激光输出,波长3.8μm以上光谱功率比例达到21.1%,其输出功率不稳定性小于0.6%。在功率指标提升方面,利用大模场TDFA抽运纤芯直径9μm的ZBLAN光纤,获得了最高功率15.2 W的2-4.5μm超连续谱激光输出,波长3.8μm以上的功率值达到了1 W以上。取得结果是全光纤结构中红外超连续谱激光的最高功率水平,也是光谱达到4μm以上的中红外超连续谱的最高功率记录。采用级联光纤抽运方案,选择ZBLAN光纤产生的2-4.2μm超连续谱激光光源作为抽运源,研究了As2S3光纤和As2Se3光纤中的超连续谱产生。在空间耦合方式下,选择抽运激光的重复频率为50 kHz时,在As2S3光纤中获得了平均功率为67.1 mW、光谱长波拓展到5.5μm的光谱超平坦2-5μm超连续谱激光输出;而选择抽运激光的重复频率10 kHz时,在As2Se3光纤中获得了平均功率为9.28 mW的2-5.8μm超连续谱激光输出,对应10 dB光谱带宽为3220 nm,覆盖波长范围为2230-5450 nm。采用光纤端面对接耦合和玻璃套管封装法,首次实现了全光纤结构的高亮度超平坦2-5μm超连续谱激光输出,最高输出功率为97.1 mW,10 dB光谱带宽为2840 nm,对应波长范围为2140-4980 nm。该结果为目前国际上全光纤结构2-5μm超连续谱激光的最高输出功率。
翁明,徐伟军,郑华[4]（2004）在《脉冲参数对指纹放电成像质量的影响》文中认为利用介质阻挡放电照相的原理,成功实现了对人体指纹的提取。在静态法提取指纹过程中,记录了在3种脉冲宽度（2ns,3μs,1ms）下放电的指纹图像。放电空间电场分布的分析表明,随着脉冲宽度的增加,正离子在介质层上的累积使得放电空间的电场趋于均匀,导致指纹放电强度在空间的均匀化,从而使指纹成像的分辨率下降。采用较高幅度的ns脉冲放电时,发现了指纹放电中存在丝状放电的痕迹。进一步的实验表明,即使在放电空间不存在介质时,也能观测到良好质量的指纹放电图像。研究结果表明,采用较小幅度的ns脉冲放电技术,不仅提高了指纹图像的清晰度,而且也实现了大气中的辉光放电。
于政[5]（2021）在《淋土式介质阻挡放电降解土壤中有机物研究》文中研究指明我国土壤环境总体不容乐观,部分地区土壤污染较重,耕地土壤环境质量堪忧,工矿业废弃地土壤环境问题突出。在污染土壤修复过程中,低温等离子体技术近年来受到广泛关注,研究人员开展了大量研究工作,取得了不错的修复效果,但距离其实际应用还存在一定的距离,其中主要制约为短寿命活性物种利用率低和活性物质在土壤中的传质损耗等。针对上述存在的问题,本文设计并制作了淋土式介质阻挡放电（Dielectric barrier discharge,DBD）反应器用于有机污染土壤修复,改变传统气相放电-活性粒子随载气进入土层-活性粒子与污染物分子碰撞的降解模式,转变为土壤颗粒间隙及颗粒表面放电-活性粒子与污染物分子碰撞的降解模式,分别探究了淋土式DBD对于阿特拉津和对硝基苯酚单一污染土壤及其复合污染土壤的修复效果、影响因素及降解机理。主要研究结果如下:（1）针对淋土式DBD反应器,考查了电气参数、土壤参数和气体参数对放电特性的影响,得出等离子体反应器较优运行参数范围,即峰-峰值为34-38 k V,电源频率为100-400 Hz,进土速度为0-36 kg/h,粒径目数大于20目,载气种类选取氮气、空气和氧气。（2）选择阿特拉津（Atrazine,ATZ）作为目标污染物,研究了其在淋土式DBD下的降解效果、影响因素和降解机理等。结果表明:淋土式DBD对ATZ污染土壤具有修复效果,初始浓度10 mg/kg污染土壤经50 s放电处理后ATZ降解率达到70.95%,能量效率为0.014 mg/k J,反应速率常数k为1.098 min-1,G50为195.8 J/gsoil,其中反应速率常数k远大于传统等离子体修复污染土壤方法的0.009-0.210 min-1。增加电源输出的电压和频率,ATZ降解率增加;增大污染物初始浓度、土壤粒径或者减小土壤p H都会使得ATZ降解率下降;土壤含水率增加,ATZ降解率先增后减,在0.8%时取得最优值。FT-IR和LC-MS检测结果表明ATZ污染土壤经淋土式DBD放电处理后中间产物无低聚物生成,更易于进一步降解。（3）研究了淋土式DBD修复对硝基苯酚（p-Nitrophenol,PNP）污染土壤的效果、影响因素及降解机理等。结果表明:100 mg/kg的PNP污染土壤修复50 s后,其降解率为54.19%,能量效率为0.109 mg/k J,G50为337.4 J/gsoil,能量效率相较于传统等离子体修复方法能效得到明显提升。提高外加电压和延长处理时间,PNP降解率增加;土壤粒径减小及载气流速增加,PNP降解率先增后减;污染物初始浓度和进土速度增大,PNP降解率减小。GC-MS和LC-MS检测表明其降解产物多为PNP降解初期产物,使用Toxicity Estimation Software Tool（T.E.S.T.）软件预测表明修复后PNP污染土壤毒性显着降低。通过改变载气如空气、氮气、氧气等发现PNP降解率由高到低为氧气>空气>氮气,且淋土式DBD短寿命活性物种利用率提高,综上O·、OH·和O3等在PNP降解过程中起主要作用,N2+、NOx等因其氧化能力相对较弱,在PNP降解过程中贡献较小。（4）研究了淋土式DBD修复ATZ和PNP复合污染土壤的效果,并对修复过程中污染物间的相互作用规律进行初步探究。结果表明:相较于单一污染土壤,总污染浓度相同条件下复合污染土壤中ATZ降解率有所降低,PNP降解率提升,这表明在活性物质竞争过程中PNP更具有优势。通过比较总污染物去除量和总能量效率也可以得出类似结论。PNP对复合污染总能量效率的变化存在影响,而ATZ浓度的变化对总能量效率基本没有影响。
尚飞[6]（2020）在《基于TFT薄膜晶体管的超声波指纹识别技术研究》文中进行了进一步梳理本文研究了基于薄膜晶体管（TFT）的大面积、低成本、高安全超声指纹识别技术及其工程实现方法,涉及压电薄膜、TFT阵列传感器、高频高压驱动电路等方面工作,主要研究内容和创新点如下:（1）压电薄膜材料改性与工艺研究:分析了压电薄膜材料的超声波发射接收原理及其在指纹传感器应用中的理论基础;发展了PVDF-Tr FE压电材料与还原氧化石墨烯（r GO）共混改性技术,利用r GO与PVDF-Tr FE的偶极相互作用机制,将PVDF-Tr FE压电系数d33从27 p C/N提高至34 p C/N,开路电压和短路电流分别从4.7 V及0.37μA提高至8 V及0.6μA,性能显着增强;探索了在TFT阵列传感器上原位制备PVDF-Tr FE压电薄膜的涂布工艺和原位极化工艺,为大面积薄膜的批量制备奠定基础。（2）薄膜晶体管阵列传感器设计与工艺研究:基于多晶硅薄膜晶体管技术发展了一种大面积、低成本的玻璃基传感器电路设计,并通过低温多晶硅薄膜晶体管工艺制备了传感器样品,通过传感器电路测试及PVDF压电薄膜整合测试,验证了电路工作情况并对其工作性能的影响因素进行了分析和评估,通过38译码器与多路选择的列选电路解决了识别区面积扩大造成回波采集时间过长的问题。（3）压电薄膜高频高压驱动电路设计与实现研究:针对PVDF压电薄膜的驱动电压和频率比较高的需求,设计了一个Class D LCLC变换器,通过多级谐振电路实验产生的输出电压信号峰值高达376 V。该变换器驱动PVDF压电薄膜可以获得更高的输出电压,在PVDF薄膜上产生更大的超声回波信号。在该信号的驱动下,超声指纹模组实验产生的超声回波信号为970 m V,远大于Class D LC谐振变换器在同样实验条件下产生的超声回波信号360 m V,有利于提高超声波指纹识别传感器的信噪比和准确性。（4）超声指纹模组集成及性能研究:探索了PVDF压电薄膜、TFT传感电路、高频高压驱动模块的模组集成工艺流程,并设计了控制软件和算法,按照PVDF发射和接收超声波的时序,实现了各个模块按照软件控制流程分时工作、相互协作,完成了指纹图像的采集和分析。指纹图像的成功采集也验证了PVDF压电薄膜、PVDF驱动电路、TFT传感电路、软件时序控制等各个模块工作正常。针对不同的工程应用场景,可根据不同需求,选用不同模组结构。以OLED屏下超声指纹产品为典型应用案例,通过贴合要求、电极粘附性、指纹采集清晰度等一系列性能测试、对比和分析,推荐了Tx/Rx同源反贴的模组结构。
刘松德[7]（2020）在《高速高分辨率光声断层成像技术与应用研究》文中认为光声成像是近年来生物医学成像领域中一种新兴的非侵入式成像模态,其兼具了光学成像高对比度和声学成像在深层组织中高分辨率的优点。光声断层成像（PACT）是光声成像的一个重要分支,具有很好的临床转化潜力和应用前景。然而,目前的PACT成像技术与系统存在诸多不足,如不具备多模态成像能力、换能器探测视角受限、成像分辨率较低、换能器阵元个数较少和难以编程扩展等,限制了其在临床前和临床上的应用。本文研究开发了可用于临床前和临床应用的高速、高分辨率、可编程PACT成像技术与系统,并开展了其在临床前与临床成像中的应用探索。具体研究内容如下:1、研究开发了两代PACT成像技术与系统:原理性PACT成像系统（第一代）和高性能PACT成像技术与系统（第二代）。第一代系统配置自由度高,但成像速度较慢,无法满足实时成像的需求,适用于原理性实验研究。第二代系统具备高速、高分辨率和可编程扩展等优点,同时可以实现光声和超声双模态成像,适用于临床前和临床应用研究。更具体地,第二代系统拥有多种阵列超声换能器,其中心频率和阵元数最高分别可至50MHz和512个;二维成像的空间分辨率和成像速度最高分别可至30 μm和10帧每秒;三维成像的仰角分辨率优于2 mm,扫描速度优于5 mm/s。基于开发的成像系统,分析了关键系统参数对图像质量的影响,研究了光声图像重建中的负值伪影。研究工作对高性能PACT成像系统的设计与实现有重要指导意义,为后续图像伪影去除方法的开发和无伪影图像重建奠定了理论基础。2、提出了纳米碳增强的光声前哨淋巴结（SLN）示踪与穿刺活检技术,可以观察到纳米碳在SLN内的动态聚集过程,实现SLN的示踪;同时,可以为SLN的穿刺活检提供高对比度的图像引导。离体SLN的组织学分析结果显示,SLN内存在明显的纳米碳聚集,与影像学结果一致。进一步的实验结果表明,提出的纳米碳在颗粒直径、光学吸收特性和光学稳定性等方面较美蓝和吲哚菁绿有明显优势,更适合用于基于光声的淋巴腺体示踪。提出的SLN示踪与穿刺活检技术具有临床转化前景,对乳腺癌转移的早期诊断具有重要意义。3、提出了光声无标记手指血管成像与识别技术,可以实现手指冠状面和横断面内血管结构的高质量成像,显示血管空间分布及其与皮肤和指骨之间的相对位置关系。通过扫描换能器,PACT可以实现手指血管结构的三维成像。除结构信息以外,PACT还可以实现指动脉跳动频率的量化,实验结果与受试者的生理指标一致。提出的手指血管结构与功能成像技术有望结合特征提取、特征匹配和活体识别技术实现高准确性和高安全性的个体身份识别。本文结合仿真与实验重点研究了高速高分辨率PACT成像技术与应用。研究工作对PACT成像系统的开发和性能提升有重要意义,为PACT的临床前和临床应用奠定了理论与实践基础。
饶小双[8]（2020）在《RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削技术研究》文中研究指明反应烧结碳化硅（RB-SiC）因其具备较大的比刚度和热稳定性,能够满足大尺寸镜体制备对复杂轻量化结构设计和近净尺寸成形的要求,成为当前国内外大口径轻量化空间光学镜体制备最理想的材料,并成功应用于各类天基和地基反射镜镜体的制备中。由于空间光学对成像质量的要求,这类大口径SiC反射镜的镜面通常要求加工成球面或非球面的形状。但RB-SiC固有的高硬度和脆性决定了其非球面加工只能采用自锐性较好的树脂基砂轮,从而导致了加工效率低、砂轮磨损严重等问题。为此,在大口径SiC反射镜镜面的非球面加工中,希望采用磨损量较小的金属基砂轮。然而,在材料大量去除时,低自锐性的金属基砂轮又面临着在线修锐的问题。因此,需要开发一种高效的磨削技术,在保证加工质量的前提下,提高大口径SiC反射镜非球面成形的磨削加工效率,同时解决加工过程中的金属基砂轮修整问题。在此背景下,本文在考虑到RB-SiC陶瓷具备导电性的基础上,首次将电火花机械复合磨削技术应用于RB-SiC陶瓷的磨削加工中,以放电温度对RB-SiC陶瓷加工表面材料力学性能影响的研究为基础,探索电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷的材料去除机理及表面形成、磨削表面质量及损伤特征,并通过磨损实验研究电火花机械复合磨削中金属基砂轮的磨损机理及磨损特性。然后,在全面分析工艺参数影响的基础上,利用灰色关联理论进行了基于RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削性能的多目标工艺参数优化。本文的研究工作为电火花机械复合磨削技术在大口径SiC非球面磨削中的应用奠定了基础,同时对丰富RB-SiC陶瓷复合磨削的基础理论具有积极意义。本文首先通过对电火花机械复合磨削过程的分析,并结合COMSOL有限元仿真,探究了电火花放电在RB-SiC陶瓷中的温度分布情况及其受放电能量的影响规律。在此基础上,利用激光加热的压痕实验,模拟放电高温对RB-SiC陶瓷硬度、弹性模量及断裂韧性的影响。压痕实验结果表明,温度的变化改变了RBSiC陶瓷产生弹性恢复的载荷范围,温度的增加促进了材料的塑性变形。因此,RB-SiC陶瓷加工表面的硬度和弹性模量随着温度的增加而减小,且减小幅度基本相同。此外,温度升高促进了RB-SiC陶瓷由穿晶断裂向沿晶断裂转变,增加了材料的韧性,使得断裂韧性值随温度升高而升高;而当温度过高时,自由Si相的过度软化和热应力又使断裂韧性值有所降低。在RB-SiC陶瓷受温度影响的力学性能的研究基础上,结合激光加热的划痕实验研究进一步表明,温度升高对RB-SiC陶瓷的脆塑去除机制产生了影响,使RB-SiC陶瓷能在较大深度上获得塑性去除,且其脆塑转变临界深度的变化主要受断裂韧性变化的影响。在此基础上,进行RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削机理的研究,发现电火花加工的材料去除机制为Si相的熔化、汽化及SiC相的分解;而机械磨削的材料塑性去除机制则随温度升高而明显增加。电火花加工和机械磨削对材料的耦合去除,形成了RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面,并分析了表面形成的影响因素,为加工表面质量和工艺参数优化的研究奠定了基础。结合加工表面形成影响因素的分析,对不同放电极性和磨粒粒度下电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷加工表面质量进行实验研究,发现砂轮正极性下的磨削表面粗糙度、表面及亚表面损伤均较砂轮负极性下的小,同时磨粒粒度影响了加工中电火花加工和机械磨削对材料去除的主导地位,适中的砂轮粒度有利于提高加工表面质量。此外,通过对RB-SiC陶瓷亚表面中SiC相微观结构的分析,研究了电火花加工和机械磨削对表面及亚表面损伤形成的相互作用机制,结果表明放电温度和机械压力共同导致了RB-SiC陶瓷亚表面的相变行为。通过磨损实验,研究了RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削铁基砂轮的磨损机理及磨损特性。利用激光加热的磨损实验,探讨了由纯温度升高引起的金属基砂轮金刚石磨粒和结合剂的磨损机制。以此作为对照,发现在电火花机械复合磨削的金属砂轮磨损机制中,放电热流冲击能够有效去除金刚石磨粒顶部由纯温度升高引起的材料粘附,增加了磨粒的切削性能,且金刚石磨粒的主要磨损机制为断裂和脱落,而铁基结合剂则为放电去除。基于这一磨损机制,提出了电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷中金属基砂轮的修整思路,很好地实现了金属基砂轮的在线修整。同时,金属基砂轮的磨损特性表明,与普通磨削相比,电火花机械复合磨削中铁基砂轮仅存在初始磨损和稳定磨损阶段,且稳定磨损阶段的材料去除率提升了13%-23%,切向和法向磨削力分别降低了60.2%和61.6%。采用正交实验设计和灰色关联分析,进行了基于表面粗糙度、材料去除率、砂轮磨损速率以及法向磨削力4种磨削性能指标的工艺参数优化。对正交实验结果进行分析,结果表明工艺参数对4种磨削性能指标存在着不同的影响规律。因此,结合课题的研究目标对磨削性能指标进行加权,并利用灰色关联度进行多目标的参数优化,获得了最优工艺参数组合并进行了实验验证。实验结果表明,优化后的工艺参数组合能够获得比正交实验和普通磨削下更好的磨削性能。
孙如[9]（2020）在《心脏MRI成像：从图像重建到运动分析》文中研究说明心脏疾病是目前威胁人类健康的最重要疾病之一,是人类健康和生命的头号杀手,而且随着各种因素的影响其发病率依然呈上升趋势。如今,心脏磁共振影像可以为心脏提供结构和功能全方位的信息,已经成为心脏疾病诊断与治疗重要的工具。大量的理论研究和临床实验表明,心脏疾病与心室心房的形状变化、心肌的运动状况等有着直接联系。基于图像序列鲁棒地检测心脏的动力学参数（如位移场,应变场）,对于提高心脏疾病的早期确诊率和治疗效果至关重要。本文主要研究同时获取心脏多参数动态图像序列和从图像序列中鲁棒提取心肌运动变形问题。由于传统的磁共振多参数定量成像的时间过长并且成像质量易受到患者呼吸的影响,因此本文选择成像时间更短的磁共振指纹成像技术进行多参数图像重建。磁共振指纹成像技术在伪随机成像参数不同的状态下可以为各组织弛豫时间的每个体素创建唯一的时间信号。有别于传统重建方法提取混合参数图的图像特征的重建思路,本文提出的Transformer网络可以直接对指纹序列进行映射,实现了从高度欠采样的图像序列中分离重建出组织参数图像。该方法通过编码器-解码器结构实现了序列对序列的重建,其中一次正向的传播便可逐个得到整个目标序列的预测过程。这种方法摒弃了磁共振指纹图像重建中多采用的卷积神经网络和递归神经网络的架构,完全利用注意力机制来进行信息提取,因此Transformer网络兼顾了这两种网络架构在时间的依赖性方面和在网络训练速率上的优点。另一方面从图像序列中恢复整个心肌的运动场和变形参数是一个病态逆问题,需要添加适合的约束来获得唯一的最优解。本文提出了一种利用稀疏正则化的图变分模型,该方法利用图变分挖掘图像序列中不同区域之间的空间相似性,在整个图像序列中建立了不考虑空间距离的相似区域之间的连接,克服了仅考虑与邻近区域相似性的局限性,并保留了纹理细节和精细结构。仿真实验和真实实验验证了该方法的精确性与鲁棒性。
袁峰[10]（2020）在《基于紫外脉冲检测的短气隙局部放电强度和定位研究》文中研究指明本文以局部放电强度和定位检测为目的,展开了对日盲紫外脉冲检测系统的设计和研究。首先,根据局部放电辐射的特性,设计了基于日盲波段的紫外脉冲检测系统。然后,我们分析了辐射能流在系统传输中的损耗,并将有限元分析法与射线追迹相结合得到系统接收能量随不同放电强度下的短气隙局部放电源空间位置的归一化分布。最后,在实测数据的基础上,提出基于分布规律的局部放电强度和定位检测方案。具体研究如下:（1）以日盲型光敏管R2868为核心开发了日盲紫外脉冲检测系统的硬件模块,并利用Lab VIEW编程开发数据采集的软件模块。我们还对检测系统能量接收前端的探测镜头的透镜参数进行了推导。通过计算可以发现球面度为π范围内的射线可以经探测透镜组耦合至像空间并满足像空间接收光纤的数值孔径。（2）在仿真条件的设计下,将有限元分析法与射线追迹相结合分析了系统前端探测透镜对局部放电辐射的变换,并得到了探测透镜组像空间聚焦光斑能量随不同放电强度下的短气隙局部放电源空间位置的归一化分布。经分析,上述归一化分布不受局部放电源放电强度的影响,并且该分布的衰减规律为:当局部放电源在检测范围内沿径向远离探测镜头时,焦斑能量以幂函数指数等于-2的速度衰减;当辐射源沿圆周向远离探测镜头光轴至角度最大时,能量衰减为最大值的35.6%。（3）在局部放电强度与系统脉冲响应的线性区内,我们将空间位置对系统接收能量的映射转换为空间位置对脉冲密度的映射,得到了局部放电源在不同加载电压下的脉冲密度分布。经分析,不同电压下的脉冲密度归一化分布具有相同的变化规律,验证了上述归一化分布不受局部放电源强度影响的结论。并且脉冲密度归一化分布与聚焦光斑能量的归一化分布基本吻合。（4）在归一化分布为不变量的基础上,我们提出了短气隙局部放电强度和定位方案。该方案会预先划分不同的电压等级。在检测时,数据终端首先会假设局部放电源的电压等级,并将其与归一化分布相结合得到脉冲密度量化分布。然后,通过某一端口的输出脉冲与脉冲密度量化分布对比得到局部放电源位置的可行域。最后,通过对多个端口可行域的重合对比,得到局部放电的位置信息。
二、脉冲参数对指纹放电成像质量的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、脉冲参数对指纹放电成像质量的影响（论文提纲范文）
（1）300kV脉冲X射线源辐射特性及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1. 引言 |
| 1.1.1. 脉冲X射线源 |
| 1.1.2. 典型成像应用 |
| 1.1.3. 成像效果影响因素 |
| 1.2. 国内外研究现状 |
| 1.2.1. 高能脉冲X射线源 |
| 1.2.2. 中能脉冲X射线源 |
| 1.2.3. 低能脉冲X射线源 |
| 1.2.4. 研究现状分析 |
| 1.3. 选题背景及意义 |
| 1.4. 主要研究内容及创新点 |
| 第二章 电子与靶相互作用理论研究 |
| 2.1. 电子与靶相互作用过程 |
| 2.1.1. 电子与靶相互作用 |
| 2.1.2. X射线与靶相互作用 |
| 2.2. 数值模拟建模 |
| 2.2.1. Monte Carlo方法简介 |
| 2.2.2. 电子束打靶及建模 |
| 2.3. 模拟结果及分析 |
| 2.3.1. 靶厚对辐射特性的影响 |
| 2.3.2. 电子能量分布对辐射特性的影响 |
| 2.3.3. 观测角对辐射特性的影响 |
| 2.3.4. 靶倾斜角对辐射特性的影响 |
| 2.3.5. 靶材对辐射特性的影响 |
| 2.3.6. 模拟结果可信性分析 |
| 2.4. 本章小结 |
| 第三章 实验设计与装置研制 |
| 3.1. 实验设计 |
| 3.1.1. 二极管参数 |
| 3.1.2. 辐射特性 |
| 3.1.3. 衍射成像 |
| 3.1.4. 透射成像 |
| 3.1.5. 设计实验实现的条件 |
| 3.2. 装置研制 |
| 3.2.1. 脉冲功率驱动源的优化和改进 |
| 3.2.2. 二极管的研制 |
| 3.2.3. 辐射诊断系统的构建 |
| 3.3. 本章小结 |
| 第四章 辐射特性与成像研究 |
| 4.1. 辐射特性研究 |
| 4.1.1. 装置性能验证 |
| 4.1.2. 电子能量分布情况 |
| 4.1.3. 二极管参数对Kα特征辐射强度的影响 |
| 4.1.4. Kα特征辐射占比情况 |
| 4.1.5. 阴极结构对辐射特性的影响 |
| 4.2. 衍射成像研究 |
| 4.2.1. 静态成像 |
| 4.2.2. 窗口材料对成像的影响 |
| 4.2.3. 成像稳定性 |
| 4.3. 透射成像研究 |
| 4.3.1. 静态成像 |
| 4.3.2. 动态成像 |
| 4.4. 本章小结 |
| 第五章 能谱预测初步研究 |
| 5.1. 物理常量 |
| 5.2. 计算方法 |
| 5.2.1. 轫致辐射截面 |
| 5.2.2. 电子能量 |
| 5.2.3. 电子能量损失 |
| 5.2.4. 方向角 |
| 5.2.5. 靶自吸收 |
| 5.2.6. K壳层电离 |
| 5.3. 结果及讨论 |
| 5.4. 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1. 总结 |
| 6.2. 不足之处与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（2）高压直流电缆局部放电特征分析及辨识技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 XLPE电缆绝缘故障及原因 |
| 1.3 XLPE电缆局部放电检测研究现状 |
| 1.3.1 XLPE电缆局部放电检测手段 |
| 1.3.2 XLPE电缆状态检测技术标准 |
| 1.3.3 直流电缆局部放电检测技术研究 |
| 1.4 直流局部放电机理研究现状 |
| 1.4.1 直流局放试验研究 |
| 1.4.2 运行工况影响研究 |
| 1.5 直流局部放电模式识别研究现状 |
| 1.5.1 局部放电模式识别关键技术 |
| 1.5.2 直流局部放电特征提取 |
| 1.6 目前研究存在的问题 |
| 1.7 论文主要研究内容 |
| 第二章 直流局放理论基础及检测技术适用性研究 |
| 2.1 直流局部放电发生及复现 |
| 2.1.1 直流局部放电起始过程 |
| 2.1.2 直流局部放电复现 |
| 2.2 连续放电间相关性 |
| 2.3 电缆典型绝缘缺陷模型设计 |
| 2.4 绝缘缺陷电场分布研究 |
| 2.4.1 电场仿真模型 |
| 2.4.2 仿真结果及分析 |
| 2.5 试验设置及检测技术适用性研究 |
| 2.5.1 试验平台及检测系统 |
| 2.5.2 局部放电检测技术适用性 |
| 2.5.3 试验方法及步骤 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 典型绝缘缺陷直流局部放电特征研究 |
| 3.1 直流局放特征图谱及数据预处理 |
| 3.1.1 典型统计特征图谱 |
| 3.1.2 数据预处理 |
| 3.2 主绝缘表面划伤缺陷放电特征 |
| 3.2.1 放电发展过程 |
| 3.2.2 不同阶段统计特征 |
| 3.3 金属毛刺电晕放电特征 |
| 3.3.1 放电发展过程 |
| 3.3.2 不同阶段统计特征 |
| 3.4 半导电层沿面放电特征 |
| 3.4.1 放电发展过程 |
| 3.4.2 不同阶段统计特征 |
| 3.5 应力锥界面处缺陷放电特征 |
| 3.5.1 放电发展过程 |
| 3.5.2 不同阶段统计特征 |
| 3.6 电压极性影响研究 |
| 3.6.1 负压下主绝缘表面划伤缺陷放电特征 |
| 3.6.2 不同极性电压下各缺陷放电特征比较分析 |
| 3.7 典型缺陷直流局放规律分析 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 直流局部放电特征参数提取及优化选择 |
| 4.1 散点特征图相关性参数提取 |
| 4.1.1 线性相关性参数 |
| 4.1.2 基于互信息的特征参数 |
| 4.1.3 基于最大信息系数的特征参数 |
| 4.1.4 基于最大信息非参数扩展类的特征参数 |
| 4.2 统计分布形状特征参数 |
| 4.3 特征参数适用性研究 |
| 4.3.1 相关性参数性能分析 |
| 4.3.2 局部放电模式特征量化分析 |
| 4.4 基于改进最大相关最小冗余算法的特征选择 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 直流局部放电模式识别技术研究 |
| 5.1 高维特征空间构建 |
| 5.2 基于压缩感知的直流局放模式识别 |
| 5.2.1 稀疏表示 |
| 5.2.2 L1 范数最小化 |
| 5.3 模式识别结果及分析 |
| 5.4 基于D-S证据理论的模式识别决策融合 |
| 5.4.1 D-S证据理论 |
| 5.4.2 基本概率赋值函数构造 |
| 5.4.3 识别决策信息融合 |
| 5.5 决策融合效果及分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 |
| 攻读博士学位期间参与的科研项目 |
（3）光纤抽运2-5μm超连续谱激光光源研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 超连续谱激光光源概述 |
| 1.2 2-5μm超连续谱激光光源的研究进展 |
| 1.2.1 光纤材料 |
| 1.2.2 研究进展 |
| 1.3 2-5μm超连续谱激光光源的应用前景 |
| 1.3.1 大气相关应用 |
| 1.3.2 分子指纹谱识别 |
| 1.3.3 中红外成像光谱学 |
| 1.4 论文研究思路及组织结构 |
| 第二章 非线性效应及超连续谱产生 |
| 2.1 光纤色散与非线性效应 |
| 2.1.1 光纤色散 |
| 2.1.2 非线性效应 |
| 2.1.3 超连续谱产生 |
| 2.2 被动光纤中超连续谱产生 |
| 2.2.1 广义非线性薛定谔方程 |
| 2.2.2 固定坐标系 |
| 2.3 增益光纤中超连续谱产生 |
| 2.3.1 带增益的广义非线性薛定谔方程 |
| 2.3.2 掺铥光纤放大器的增益建立过程 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 掺铥光纤放大器中超连续谱产生 |
| 3.1 石英光纤中超连续谱产生 |
| 3.1.1 被动石英光纤中超连续谱产生 |
| 3.1.2 掺铥光纤放大器中超连续谱产生 |
| 3.2 超快激光脉冲放大和超连续谱产生的物理过程研究 |
| 3.2.1 物理模型 |
| 3.2.2 数值仿真 |
| 3.3 2μm波段超快激光脉冲产生 |
| 3.3.1 基于二维材料碲化铋的锁模孤子脉冲 |
| 3.3.2 基于非线性偏振旋转效应的锁模孤子脉冲 |
| 3.3.3 基于“1.5→2μm”频率变换的孤子群脉冲 |
| 3.4 瓦量级2-2.5μm超连续谱产生 |
| 3.4.1 锁模孤子脉冲 |
| 3.4.2 基于“1.5→2μm”频率变换的孤子群脉冲 |
| 3.4.3 啁啾脉冲 |
| 3.5 百瓦量级2-2.5μm超连续谱产生 |
| 3.5.1 高占空比1.5-2.4μm超连续谱 |
| 3.5.2 101.6W2-2.5μm超连续谱激光光源 |
| 3.5.3 203.4W2-2.5μm超连续谱激光光源 |
| 3.5.4 相关讨论 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 氟化物光纤中超连续谱产生 |
| 4.1 ZBLAN光纤中超连续谱产生 |
| 4.1.1 氟化物光纤 |
| 4.1.2 色散与非线性 |
| 4.1.3 数值仿真 |
| 4.2 软玻璃光纤处理方法 |
| 4.2.1 涂覆层剥离和光纤切割 |
| 4.2.2 光纤熔接 |
| 4.2.3 光纤端帽制备 |
| 4.3 瓦量级2-4.5μm超连续谱激光光源 |
| 4.3.1 单模掺铥光纤放大器抽运 |
| 4.3.2 大模场掺铥光纤放大器抽运 |
| 4.4 高功率2-4.5μm超连续谱激光光源 |
| 4.4.1 单模掺铥光纤放大器抽运 |
| 4.4.2 大模场掺铥光纤放大器抽运 |
| 4.4.3 关于进一步提高平均功率的讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 硫系玻璃光纤中超连续谱产生 |
| 5.1 数值仿真与方案设计 |
| 5.1.1 硫系玻璃光纤 |
| 5.1.2 数值仿真 |
| 5.1.3 级联光纤抽运方案 |
| 5.2 As_2S_3 光纤中超连续谱产生 |
| 5.2.1 空间耦合 |
| 5.2.2 对接耦合 |
| 5.3 As2Se3 光纤中超连续谱产生 |
| 5.3.1 实验装置 |
| 5.3.2 光谱特性 |
| 5.3.3 功率特性 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 主要研究成果 |
| 6.2 主要创新点 |
| 6.3 后续工作展望 |
| 致谢一 |
| 致谢二 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 作者在学期间取得的荣誉和奖励 |
| 附录一 文中用到的缩写 |
| 附录二 不同光纤材料的拉曼响应函数 |
| 附录三 不同光纤的材料折射率 |
（4）脉冲参数对指纹放电成像质量的影响（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 实验装置 |
| 3 脉冲参数对指纹图像质量的影响 |
| 4 实验分析 |
| 4.1 定性分析 |
| 4.2 进一步说明 |
| 5 结 论 |
（5）淋土式介质阻挡放电降解土壤中有机物研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 1 绪论 |
| 1.1 有机污染土壤现状 |
| 1.2 有机污染土壤修复技术概况 |
| 1.2.1 物理修复技术 |
| 1.2.2 生物修复技术 |
| 1.2.3 化学修复技术 |
| 1.2.4 联用技术 |
| 1.3 低温等离子体修复技术研究进展 |
| 1.3.1 等离子体概述 |
| 1.3.2 低温等离子体在环境修复中研究现状 |
| 1.3.3 低温等离子体土壤修复机理 |
| 1.3.4 低温等离子体修复有机污染土壤研究进展 |
| 1.4 本文研究思路及研究内容 |
| 1.4.1 存在问题和研究思路 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 2 实验系统建立及反应器放电特性研究 |
| 2.1 实验部分 |
| 2.1.1 实验系统建立 |
| 2.1.2 实验材料 |
| 2.1.3 实验仪器 |
| 2.1.4 实验方法 |
| 2.2 放电特性研究 |
| 2.2.1 电气参数对放电功率的影响 |
| 2.2.2 土壤参数对放电功率的影响 |
| 2.2.3 气体参数对放电功率的影响 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 淋土式介质阻挡放电修复阿特拉津污染土壤 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 目标物简介 |
| 3.1.2 实验方法 |
| 3.1.3 分析方法 |
| 3.2 淋土式DBD对土壤中阿特拉津的降解 |
| 3.2.1 电气参数对阿特拉津降解效果的影响 |
| 3.2.2 土壤参数对阿特拉津降解效果的影响 |
| 3.3 ATZ降解机理分析 |
| 3.3.1 FT-IR分析 |
| 3.3.2 LC-MS分析 |
| 3.3.3 降解路径 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 淋土式介质阻挡放电修复对硝基苯酚污染土壤 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.1.1 目标物简介 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.1.3 分析方法 |
| 4.2 淋土式DBD对土壤中PNP的降解 |
| 4.2.1 电气参数对PNP降解效果的影响 |
| 4.2.2 土壤参数对PNP降解效果的影响 |
| 4.2.3 气体参数对PNP降解效果的影响 |
| 4.2.4 放电时间对PNP降解效果的影响 |
| 4.3 降解产物测定与毒性分析 |
| 4.3.1 扫描电镜 |
| 4.3.2 TOC |
| 4.3.3 中间产物测定与分析 |
| 4.3.4 高效液相色谱检测 |
| 4.3.5 毒性分析 |
| 4.4 降解机理分析 |
| 4.4.1 臭氧作用分析 |
| 4.4.2 不同载气对PNP降解效果的影响 |
| 4.4.3 降解路径 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 淋土式介质阻挡放电修复复合污染土壤 |
| 5.1 实验部分 |
| 5.1.1 目标物简介 |
| 5.1.2 实验及分析方法 |
| 5.2 淋土式DBD对 ATZ/PNP复合污染的降解 |
| 5.2.1 ATZ初始浓度对复合污染降解的影响 |
| 5.2.2 PNP初始浓度对复合污染降解的影响 |
| 5.2.3 复合污染土壤修复过程能量效率变化情况 |
| 5.3 复合污染土壤与单一污染土壤修复特性比较 |
| 5.3.1 ATZ及 PNP降解过程差异分析 |
| 5.3.2 LC-MS分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（6）基于TFT薄膜晶体管的超声波指纹识别技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 生物识别技术 |
| 1.3 指纹识别技术 |
| 1.4 国内外超声指纹识别技术研究现状与发展趋势 |
| 1.5 论文结构与主要工作 |
| 第二章 PVDF及其共混物薄膜的制备及压电性能研究 |
| 2.1 压电效应与超声波指纹识别技术 |
| 2.2 样品制备及性能表征方法 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 样品制备 |
| 2.2.3 表征方法 |
| 2.3 PVDF压电薄膜的制备工艺及性能研究 |
| 2.4 r GO/PVDF-Tr FE复合薄膜的性能研究 |
| 2.5 r GO/PVDF-Tr FE复合薄膜器件的性能研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 TFT电路的设计与制备 |
| 3.1 TFT背板电路方案设计 |
| 3.1.1 Pixel像素电路设计 |
| 3.1.2 GOA驱动电路设计 |
| 3.1.3 列选电路设计 |
| 3.1.4 ESD电路设计 |
| 3.2 LTPS TFT CMOS背板工艺与器件特性 |
| 3.2.1 TFT器件背景 |
| 3.2.2 TFT器件的分类和选择 |
| 3.2.3 LTPS TFT的结构与制作工艺 |
| 3.2.4 LTPS TFT的主要性能指标 |
| 3.2.5 NMOS TFT器件特性调试 |
| 3.3 TFT电路的仿真模拟 |
| 3.3.1 单元器件模型提取 |
| 3.3.2 Pixel像素电路的仿真 |
| 3.4 TFT阵列电路测试 |
| 3.5 TFT电路测试与性能分析 |
| 3.5.1 Pixel像素电路测试 |
| 3.5.2 GOA电路测试 |
| 3.5.3 TFT电路与PVDF压电薄膜集成测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 PVDF压电薄膜的高频高压驱动电源设计 |
| 4.1 PVDF压电薄膜的高频高压电源的拓扑结构设计 |
| 4.2 Class D高压驱动电源的理论计算与实验 |
| 4.3 Class D LCLC高压驱动源的理论计算与实验 |
| 4.4 Class D LCLC谐振变换器驱动PVDF的回波测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 TFT超声指纹模组的软件算法与性能测试 |
| 5.1 TFT超声指纹模组的制备 |
| 5.2 TFT超声指纹模组的控制时序 |
| 5.3 TFT超声指纹传感器模组性能测试 |
| 5.3.1 TFT电容传感器单体测试 |
| 5.3.2 TFT超声指纹模组单体测试 |
| 5.3.3 玻璃介质的Tx/Rx同源TFT超声指纹模组测试 |
| 5.3.4 玻璃介质的Tx/Rx异源TFT超声指纹模组测试 |
| 5.3.5 OLED介质的Tx/Rx同源TFT超声指纹模组测试 |
| 5.4 传感器采集图像的信噪比测试 |
| 5.5 图像增强的算法设计 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 工程实现方案研究 |
| 6.1 工程实现介绍 |
| 6.2 超声波指纹识别技术工程实现方案研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读专业博士学位期间取得的成果 |
（7）高速高分辨率光声断层成像技术与应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.1.1 光声成像 |
| 1.1.2 光声断层成像及其应用 |
| 1.1.3 高性能光声断层成像的重要意义 |
| 1.2 光声断层成像研究现状 |
| 1.2.1 成像技术的发展 |
| 1.2.2 临床前与临床应用的探索 |
| 1.3 论文主要研究内容与章节安排 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 章节安排 |
| 第2章 高速、高分辨率、可编程光声断层成像 |
| 2.1 光声成像基本原理 |
| 2.1.1 初始光声压 |
| 2.1.2 光声波动方程 |
| 2.1.3 光声波动方程的解析解 |
| 2.2 原理性光声断层成像 |
| 2.3 高速、高分辨率、可编程光声断层成像 |
| 2.3.1 光声和超声双模态成像 |
| 2.3.2 基于滤波反投影的图像重建 |
| 2.3.3 成像性能标定 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 光声图像质量影响因素分析 |
| 3.1 系统参数对图像质量的影响 |
| 3.1.1 探测视角和阵元个数 |
| 3.1.2 中心频率和带宽 |
| 3.1.3 口径和聚焦特性 |
| 3.1.4 指向误差和步进误差 |
| 3.2 反投影图像重建中的负值伪影 |
| 3.2.1 图像负值伪影的形成机制 |
| 3.2.2 有限带宽的影响 |
| 3.2.3 有限视角的影响 |
| 3.2.4 图像负值伪影的抑制方法 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 基于光声的前哨淋巴结示踪与穿刺活检 |
| 4.1 乳腺癌与前哨淋巴结活检 |
| 4.2 纳米碳增强的光声前哨淋巴结示踪与穿刺活检 |
| 4.3 成像结果与分析 |
| 4.3.1 纳米碳物理性质表征 |
| 4.3.2 光声前哨淋巴结实时动态示踪 |
| 4.3.3 图像引导的前哨淋巴结穿刺活检 |
| 4.3.4 组织学分析 |
| 4.3.5 纳米碳与其它淋巴示踪剂的性能对比 |
| 4.3.6 三维图像引导的前哨淋巴结穿刺活检 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 基于光声的无标记手指血管成像与识别 |
| 5.1 生物特征识别 |
| 5.1.1 研究背景与意义 |
| 5.1.2 静脉识别 |
| 5.1.3 光声血管成像与识别 |
| 5.2 无标记手指血管成像系统与方法 |
| 5.3 成像结果与分析 |
| 5.3.1 手指冠状面血管结构成像 |
| 5.3.2 手指横断面血管结构与功能成像 |
| 5.3.3 手指血管三维结构成像 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（8）RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题来源及研究目的和意义 |
| 1.2 RB-SiC陶瓷微观结构及力学性能研究 |
| 1.3 RB-SiC陶瓷的磨削加工技术 |
| 1.3.1 普通磨削技术 |
| 1.3.2 复合磨削技术 |
| 1.4 电火花机械复合磨削技术的研究现状 |
| 1.4.1 电火花机械复合磨削材料去除机理的研究 |
| 1.4.2 电火花机械复合磨削表面质量的研究 |
| 1.4.3 电火花机械复合磨削中砂轮磨损的研究 |
| 1.5 目前研究中存在的问题 |
| 1.6 本文的主要研究内容 |
| 第2章 电火花机械复合磨削放电温度对RB-SiC陶瓷力学性能的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削中的温度分布 |
| 2.2.1 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削过程分析 |
| 2.2.2 RB-SiC陶瓷中放电引起的温度分布研究 |
| 2.3 温度影响下的RB-SiC陶瓷力学性能实验条件 |
| 2.3.1 RB-SiC陶瓷力学性能实验的温度条件 |
| 2.3.2 RB-SiC陶瓷力学性能实验的载荷条件 |
| 2.4 温度对RB-SiC陶瓷力学性能影响的分析 |
| 2.4.1 不同温度下RB-SiC陶瓷的压痕形貌 |
| 2.4.2 不同温度下RB-SiC陶瓷的硬度 |
| 2.4.3 不同温度下RB-SiC陶瓷的弹性模量 |
| 2.4.4 不同温度下RB-SiC陶瓷的断裂韧性 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削机理及表面形成分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 放电温度对RB-SiC陶瓷去除机制影响的研究 |
| 3.2.1 不同温度下RB-SiC陶瓷的刻划实验 |
| 3.2.2 温度对RB-SiC陶瓷刻划去除机制影响的研究 |
| 3.2.3 温度对RB-SiC陶瓷脆塑转变临界深度影响的研究 |
| 3.2.4 温度对RB-SiC陶瓷脆塑去除阶段摩擦行为影响的研究 |
| 3.3 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削材料去除机制研究 |
| 3.3.1 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削的表面形貌 |
| 3.3.2 RB-SiC陶瓷电火花加工的材料去除机制 |
| 3.3.3 RB-SiC陶瓷机械磨削的材料去除机制 |
| 3.3.4 RB-SiC陶瓷电火花加工与机械磨削耦合作用下的材料去除机制 |
| 3.4 电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷表面形成的分析 |
| 3.4.1 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面形成影响因素的分析 |
| 3.4.2 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面形成的材料去除率分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面质量及损伤特征研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷的实验设置 |
| 4.3 电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷表面质量的研究 |
| 4.3.1 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面粗糙的研究 |
| 4.3.2 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削表面损伤的研究 |
| 4.3.3 RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削亚表面损伤的研究 |
| 4.4 电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷损伤特征的研究 |
| 4.4.1 基于拉曼检测的表面损伤特征分析 |
| 4.4.2 基于透射检测的亚表面损伤特征分析 |
| 4.4.3 亚表面损伤的微观结构特征 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 电火花机械复合磨削金属基砂轮磨损机理及磨损特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 金属基砂轮的磨损实验 |
| 5.2.1 金属基砂轮受温度影响的磨损实验 |
| 5.2.2 金属基砂轮电火花机械复合磨削的磨损实验 |
| 5.3 电火花机械复合磨削金属基砂轮的磨损机理 |
| 5.3.1 受温度影响的金属基砂轮磨损机理 |
| 5.3.2 电火花机械复合磨削的金属基砂轮磨损机理 |
| 5.4 基于电火花机械复合磨削金属基砂轮磨损机制的放电修整 |
| 5.4.1 电火花机械复合磨削RB-SiC陶瓷中的金属基砂轮修整 |
| 5.4.2 电火花机械复合磨削金属基砂轮的修整效果分析 |
| 5.5 电火花机械复合磨削金属基砂轮的磨损特性研究 |
| 5.5.1 铁基砂轮的磨损规律 |
| 5.5.2 铁基砂轮磨损对材料去除率的影响 |
| 5.5.3 铁基砂轮磨损对磨削比的影响 |
| 5.5.4 铁基砂轮磨损对磨削力的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 基于RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削性能的工艺参数优化 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 电火花机械复合磨削的工艺实验 |
| 6.3 工艺参数对电火花机械复合磨削性能影响的分析 |
| 6.3.1 工艺参数对磨削表面粗糙度的影响 |
| 6.3.2 工艺参数对材料去除率的影响 |
| 6.3.3 工艺参数对砂轮磨损速率的影响 |
| 6.3.4 工艺参数对磨削力的影响 |
| 6.4 基于灰色关联理论的参数优化及实验验证 |
| 6.4.1 灰色关联理论的数据分析方法 |
| 6.4.2 基于灰色关联理论的实验结果分析及工艺参数优化 |
| 6.4.3 最优工艺参数组合的实验验证 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（9）心脏MRI成像：从图像重建到运动分析（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 心脏及其功能的概述 |
| 1.2 MRI成像技术 |
| 1.2.1 MRI原理 |
| 1.2.2 心脏MRI成像技术 |
| 1.3 MRF成像技术 |
| 1.3.1 MRF成像原理 |
| 1.3.2 MRF图像重建 |
| 1.4 运动分析研究现状 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 2 心脏图像重建以及运动分析的方法 |
| 2.1 左心室模型的重建技术 |
| 2.1.1 左心室重建的发展 |
| 2.1.2 左心室的分割 |
| 2.1.3 特征点追踪 |
| 2.2 心脏运动力学的模型 |
| 2.2.1 基于变形的力学模型 |
| 2.2.2 基于生物的连续介质力学模型 |
| 2.3 左心室的几何表达 |
| 2.3.1 基于B样条和无网格的几何模型 |
| 2.3.2 有限元模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 基于Transformer的MRF图像重建 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 MRF的传统重建方法 |
| 3.1.2 MRF的深度学习方法 |
| 3.2 基于Transformer方法的重建模型 |
| 3.2.1 算法框架设计 |
| 3.2.2 MRF重建网络的训练与测试 |
| 3.3 验证实验设计 |
| 3.4 实验结果与讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 基于图全变分的心脏运动分析框架 |
| 4.1 基于图全变分的心脏运动最小化模型 |
| 4.1.1 图全变分 |
| 4.1.2 凸优化问题的计算 |
| 4.2 验证实验设计 |
| 4.3 结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及研究成果 |
（10）基于紫外脉冲检测的短气隙局部放电强度和定位研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题的背景与意义 |
| 1.2 局部放电检测的研究现状 |
| 1.2.1 局部放电检测技术研究现状 |
| 1.2.2 局部放电强度与定位研究现状 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 第2章 气体放电理论 |
| 2.1 气体放电基本理论 |
| 2.1.1 汤逊碰撞电离 |
| 2.1.2 流注理论的物理概念 |
| 2.2 气体放电过程的数学表述 |
| 2.2.1 粒子连续性方程 |
| 2.2.2 动量运输方程 |
| 2.2.3 能量运输方程 |
| 2.2.4 电磁场方程 |
| 2.3 气体放电的紫外辐射光谱特性与检测原理 |
| 2.3.1 气体放电光谱 |
| 2.3.2 紫外检测原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 日盲局部放电检测系统的设计 |
| 3.1 日盲局部放电检测系统方案 |
| 3.2 日盲局部放电检测系统硬件设计 |
| 3.2.1 局部放电模型 |
| 3.2.2 光信号传输单元 |
| 3.2.3 电信号调理单元 |
| 3.2.4 数据采集卡 |
| 3.3 硬件中的部分细节设置 |
| 3.3.1 探测镜头参数设计 |
| 3.3.2 紫外脉冲信号的稳定 |
| 3.4 日盲局放检测系统软件设计 |
| 3.4.1 NI设计平台的核心——Lab VIEW |
| 3.4.2 软件模块化设计 |
| 3.4.3 脉冲检测界面 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 日盲紫外探测系统的仿真研究 |
| 4.1 仿真环境设置 |
| 4.1.1 仿真条件假设 |
| 4.1.2 材料折射率设置 |
| 4.2 紫外射线追迹 |
| 4.2.1 透镜组建模与变量设置 |
| 4.2.2 紫外射线追迹的算法设计 |
| 4.2.3 紫外射线追迹的仿真结果 |
| 4.3 紫外聚焦光斑能量的空间归一化分布 |
| 4.3.1 聚焦光斑能量影响因素分析 |
| 4.3.2 聚焦光斑能量的理论计算模型 |
| 4.3.3 仿真结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 短气隙局部放电强度与定位的研究 |
| 5.1 聚焦光斑能量接收装置的设计 |
| 5.2 聚焦光斑的特性分析 |
| 5.2.1 局部放电源对聚焦光斑尺寸的影响 |
| 5.2.2 局部放电源对聚焦光斑形态的影响 |
| 5.3 局部放电强度的实验研究 |
| 5.3.1 系统响应特性分析 |
| 5.3.2 电压对放电强度的影响 |
| 5.3.3 实验结果分析 |
| 5.4 局部放电定位方法的研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
四、脉冲参数对指纹放电成像质量的影响（论文参考文献）
- [1]300kV脉冲X射线源辐射特性及其应用研究[D]. 邓明海. 中国工程物理研究院, 2020(01)
- [2]高压直流电缆局部放电特征分析及辨识技术研究[D]. 杨丰源. 上海交通大学, 2018(01)
- [3]光纤抽运2-5μm超连续谱激光光源研究[D]. 殷科. 国防科技大学, 2017(02)
- [4]脉冲参数对指纹放电成像质量的影响[J]. 翁明,徐伟军,郑华. 光电子·激光, 2004(01)
- [5]淋土式介质阻挡放电降解土壤中有机物研究[D]. 于政. 大连理工大学, 2021(01)
- [6]基于TFT薄膜晶体管的超声波指纹识别技术研究[D]. 尚飞. 电子科技大学, 2020(01)
- [7]高速高分辨率光声断层成像技术与应用研究[D]. 刘松德. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [8]RB-SiC陶瓷电火花机械复合磨削技术研究[D]. 饶小双. 哈尔滨工业大学, 2020
- [9]心脏MRI成像：从图像重建到运动分析[D]. 孙如. 浙江大学, 2020(02)
- [10]基于紫外脉冲检测的短气隙局部放电强度和定位研究[D]. 袁峰. 湖北工业大学, 2020(04)